【摘 要】
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据美国《Semiconductor International》1992年第6期报道,日本夏普公司研究成功大圆片级制造0.2μm线宽的移相光刻技术,它将应用于从64Mb到256MbDRAM的制造。随着电路集成度
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据美国《Semiconductor International》1992年第6期报道,日本夏普公司研究成功大圆片级制造0.2μm线宽的移相光刻技术,它将应用于从64Mb到256MbDRAM的制造。随着电路集成度的提高,线宽不断减小,制造4 Mb DRAM需要线宽为0.8μm,而64Mb到256Mb则需线宽0.3～0.2 μm。
According to the United States, “SemiconductorInternational”, No. 6, 1992 reported that Japan’s Sharp Corporation successful wafer level manufacturing 0.2μm linewidth phase-shift lithography, which will be used in the manufacture of 64Mb to 256MbDRAM. As circuit integration continues to increase, line widths continue to drop, creating a 4 Mb DRAM requires a linewidth of 0.8μm, while 64Mb to 256Mb requires a linewidth of 0.3 to 0.2μm.
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