【摘 要】
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采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡（Ba0．5Sr0．5TiO3，BST）平行板电容，研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明，由
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(No.50972024;No.60871049)
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采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡（Ba0．5Sr0．5TiO3，BST）平行板电容，研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明，由于存在边缘效应，BST薄膜电容的电容密度及9值都具有尺寸效应。低频时，随着电容面积增大，电容密度减小，Q值增大。高频时，随着电容面积增大，电容密度及Q值减小。
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