【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的(401)和(601)衍射峰强度变弱。使用X射线光电子能谱测试薄膜中各元素的结合能和化学态。紫外-可见透射光
【基金项目】
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北京市自然科学基金(No.4192016)资助。
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本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的(401)和(601)衍射峰强度变弱。使用X射线光电子能谱测试薄膜中各元素的结合能和化学态。紫外-可见透射光
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