适用于智能功率IC的700v Double-ResurfLdmos研究

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【摘要】

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本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resud Ldmos.该高压管的生产工艺和标准的CMOS

【作者】

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王书凯程东方徐志平沈文星

【机构】

：

200072

【出处】

：

微计算机信息

【发表日期】

：

2007年23期

【关键词】

：

双减少表面场横向双扩散MOS晶体管计算机辅助设计技术 Double- Resurf Ldmos TCAD

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本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resud Ldmos.该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板.通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路.

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