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报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法，用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟，发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小，随着热退火过程中升温速率的变化而变化，在退火过程中，若非晶硅薄膜升温速率较高（～100℃/s)，而所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm。若非晶硅薄膜升温速率较低（～1℃/s）。则纳米硅粒大小在23～46nm,根据晶体生长理论，讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗料大小的关系。