【摘 要】
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使用射频磁控溅射法在n型Si（001）基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方（111）晶面和单斜（401）晶面
【机 构】
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北京有色金属研究总院先进电子材料研究所
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使用射频磁控溅射法在n型Si（001）基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方（111）晶面和单斜（401）晶面的择优取向生长。XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比。电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10^-5A.cm^-2（偏压为＋1 V时）,击穿场强为3.5 MV.cm^-1。
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