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利用北京大学2×1．7MV串列加速器终端的飞行时间（TOF）谱仪，分别用1．5、2．0和3．0MeV三种能量的初级束Si＋轰击样品来研究其二次离子发射现象，使用的样品包括石墨、碳纳米管等。结果表明，采用合理的降噪方法后得到了高信噪比和高时间分辨率的二次离子质谱，实现了全质量范围无遗漏记谱。利用H—C12峰刻度之后，计算得出二次离子各成分的最可能构成及产额，碳纳米管样品表面氢质量含量为8．15％。同时，发现MeV能区二次离子产额与Si＋阻止本领之间的关系并非简单的正相关。