【摘 要】
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In this work, we report the fabrication of an optical waveguide by single-energy H ion implantation in the Er3 -doped phosphate glass. The ion implantation conditions are with energy of 0.4 MeV and a fluence of 8.0×1016 ions/cm2. The dark mode spectrum o
【机 构】
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CollegeofElectronicandOpticalEngineering,NanjingUniversityofPostsandTelecommunications,Nanjing210023
【出 处】
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OptoelectronicsLetters
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In this work, we report the fabrication of an optical waveguide by single-energy H ion implantation in the Er3 -doped phosphate glass. The ion implantation conditions are with energy of 0.4 MeV and a fluence of 8.0×1016 ions/cm2. The dark mode spectrum of the waveguide structure was measured by the prism coupling experiment. The refractive index change along with the penetration depth was fitted by using the reflectivity calculation method (RCM). Finally, the calculated near-field light intensity distribution shows superior waveguide properties, which demonstrates its promis-ing potentials for compact optical integrated devices.
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基于多波耦合理论，利用Fortran编程软件，以TM模式为工作模式，对工作在太赫兹频段的开正弦槽同轴布喇格反射器的频率响应进行了仿真研究。研究结果表明，在高频高阶TM模式下，竞争模式和所需工作模式带隙之间的带隙重叠可以通过初始相位差的逐渐增大得到明显改善；频响特性曲线的残存旁瓣可通过加窗技术得到有效抑制；加正圆锥或者倒圆锥渐变波纹时，工作模式影响较小，竞争模式会相应地偏离中心频带，对带隙重叠的分离也有一定的影响。研究为同轴布喇格反射器在太赫兹领域以TM模式工作提供了可能性。
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