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采用ICP-AES法测定了Ga^3+:KTP晶体中掺质Ga^3+离子含量,并由此得出Ga^3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga^3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga^3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上。文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨。