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利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0．6％－1．0％的Si1-xCx合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷，注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因，如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量，退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si1-xCx合金，而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形,但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化，预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成，与慢速退火