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以蓝宝石（Al2O3）为衬底,采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术生长In Ga N/Ga N多量子阱结构。本文通过调整外延生长过程中三甲基铟（TMIn）流量,研究了TMIn流量对In Ga N/Ga N多量子阱结构的合金组分、晶体质量和光学性质的影响。本文采用高分辨X射线衍射（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）测试表征其结构和光学性质。HRXRD测试结果表明,随TMIn流量增加,“0”级峰与Ga N峰之间角偏离增大,更多的In并入薄膜中。HRXRD与AFM表征结果表明：增大TM