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通过AFORS-HET软件分析了μc-Si:H(n)发射层,前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙,对μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)太阳能电池性能的影响。模拟得出a-Si:H(i)本征层通过钝化界面来提高太阳能电池的性能,同样μc-Si:H(p+)背场提高了电池的转换效率。μc-Si:H(n)发射层的厚度为6 nm,带隙为1.6 eV;前后aSi:H(i)本征层的厚度和带隙分别为3 nm和1.6 eV,电池的性能达到最佳。此优化结果可