一种0.6μm CMOS带隙参考电压源(英文)

来源 :Journal of Southeast University(English Edition) | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlh0089
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利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0~ 85℃、电源电压 4 5~5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2~ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % .包括键合用的焊盘在内 ,芯片的总面积仅为 0 4mm× 0 4mm ,当电源电压在 4 5~ 5 5V范围内变化时 ,电路总的功率消耗在 2 8 3~ 4 8 8mW之间浮动 . Using the principle that CMOS transistor mobility and threshold voltage temperature effect compensate each other, a stable bandgap reference voltage source is designed by CSMC HJ 0 6 μm CMOS technology. The bandgap reference voltage source can operate at 0 ~ 85 ℃, supply voltage 4 5 ~ 5 5V range of the normal work, the output reference voltage of 1 12 2 ~ 1 176V, the output voltage reference floating ratio of less than ± 3 70%. Including the bonding pad, the total area of ​​the chip is only 0 4mm × 0 4mm, when the power supply voltage changes in the range of 45 ~ 5 5V, the total power consumption of the circuit fluctuates between 283 ~ 488mW.
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