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期刊论文
Al栅BESOI/CMOS器件的辐照特性
Al栅BESOI/CMOS器件的辐照特性
来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tszhzhc159
【摘 要】
:
在表层硅厚度约6μmBESOI材料上,制备了Al栅CMOS器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰SOI薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Kink效应。样品未作抗辐照工艺加固,γ累积辐辐照剂量已达3×10^5rad(Si)。实验表
【作 者】
:
李金华
林成鲁
竺士炀
【机 构】
:
江苏石油化工学院功能材料实验室,中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
:
微电子学与计算机
【发表日期】
:
1995年2期
【关键词】
:
BESOI器件
CMOS器件
辐照
铝栅
Radiation resistant
BESOI
Integrated circuit
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在表层硅厚度约6μmBESOI材料上,制备了Al栅CMOS器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰SOI薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Kink效应。样品未作抗辐照工艺加固,γ累积辐辐照剂量已达3×10^5rad(Si)。实验表明,该结构埋层SiO2的存在对器件的辐照性能影响不明显。
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