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在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60。硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1~2个量能。用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率~温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关。其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强。另外还报道了用离子