【摘 要】
:
Vishay推出两款20V和两款30V n通道器件,从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%,从而大幅降
论文部分内容阅读
Vishay推出两款20V和两款30V n通道器件,从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。20V器件包括SiS426DN和SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸3mm×3mm的PowerP
Vishay has introduced two 20V and two 30V n-channel devices to expand its third-generation TrenchFET power MOSFET family. For the first time, these devices use TurboFET technology to reduce gate charge by up to 45% with the new charge-balanced drain structure, dramatically reducing switching losses and increasing switching speed. 20V devices include SiS426DN and SiR496DP, SiS426DN devices which use size 3mm × 3mm PowerP
其他文献
林以种为本,种以质为先。浙江林木种质资源保育和利用工作在广大林业科技人员和林木良种工作者的辛勤劳动和不懈努力下,不断取得突破,在全国率先建立起以林木育种中心为核心
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
This paper mainly discusses the analysis and design of a finline single-ended mixer and detector.In the circuit,for the purpose of eliminating high-order resona
全球太阳能光伏产业蓬勃兴起,多晶硅的需求量与日俱增。近日,武汉东立置业与东西湖区政府签约,投资15亿元在该区循环经济工业园建设年产1500吨的多晶硅生产基地。据调查,中国
担任永州市救助管理站副站长12年来,陈拥明始终坚持用真情温暖每位流浪人员,用爱心浇筑救助管理之路,在永州大地上谱写了一曲曲动人的旋律,书写着一页页感人的篇章,他是名副
黑龙江省大兴安岭行署财政局女局长高颖,中等身材;端庄清秀,炯炯有神的双眸里,似乎还没有退尽童真的稚气,然而,在那文静洒脱的仪表背后,却蕴含着樟子松般刚毅、挺拔的性格。
正确认识差距加快民族地区经济发展高尚德各民族共同发展、共同繁荣是由社会主义制度的本质决定的,加快民族地区经济发展,促进各民族共同繁荣,不仅是经济问题而且是政治问题。少
用社会主义市场经济理论指导开发区工作张洪义阿尔山经济开发区的发展思路必须建立在实事求是的基础之上,这个基础概括起来就是三句话:一是有前途,二是有机遇,三是有困难。阿尔山
目前,文昌县的经济建设正处于新的起点上,大形势是机遇和挑战共存,困难与希望同在。在新的机遇和挑战面前,如何实现新的突破,把文昌经济推上新的台阶,我们的总体思路是:坚持邓小平同
革命历史是一座富矿,如何选择、如何开采,源于现实的需要和照应。《忠诚与背叛》主要是反映1927年中国共产党第五次代表大会上第一次成立中央监察委员会的历史事实。因为“五