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日立公司早在1995年就提出活性层使用GaInNAs的想法．此次成果确立了适于GaInNAs结晶成长的新技术．由此实现了在40Gbps下稳定工作的目标。具体地说，就是削除了混入GaInNAs中的Al。过去的GaInNAs半导体激光器在包层中一般使用Al-GaAs．所以GaInNAs活性层中因混入Al而降低了特性。