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完成了10/100（Mb/s）以太网介质访问控制器芯片的设计与实现,介绍了芯片的架构和主要模块的设计方法,给出了仿真结果.芯片采用0.25μm CMOS工艺流片,工作电压为2.5 V/3.3 V.测试表明,芯片性能完全符合IEEE802.3标准,达到了设计要求.
一种以太网介质访问控制器芯片的设计与实现
【摘 要】
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完成了10/100（Mb/s）以太网介质访问控制器芯片的设计与实现,介绍了芯片的架构和主要模块的设计方法,给出了仿真结果.芯片采用0.25μm CMOS工艺流片,工作电压为2.5 V/3.3 V.测试
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2011年6期
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