论文部分内容阅读
研究了GaAs高指数面（331）A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化．原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下，GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加，增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和．而在原子氢辅助分子束外延情况下，当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小．认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小．在GaAs（331）A台阶基底上生长出InAs自组织纳米线，用光荧光测试研究了其光学各项异性特征．