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分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因。通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优化改进,有效控制了金属飞溅物进入封装腔体内部,提高了混合集成电路颗粒碰撞噪声检测(PIND)合格率以及产品的可靠性。
混合集成电路内部多余物的控制研究
【摘 要】
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分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因。通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年07期
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