【摘 要】
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本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0．1％原子分数的LiAlO2单晶体，借助光学显微镜，结合化学腐蚀法，对Ti：LiAlO2晶体（100）面空气退火前后的缺陷特征进行了研究，用AFM观测了（100）面晶
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院研究生院
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本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0．1％原子分数的LiAlO2单晶体，借助光学显微镜，结合化学腐蚀法，对Ti：LiAlO2晶体（100）面空气退火前后的缺陷特征进行了研究，用AFM观测了（100）面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明：Ti：LiAlO2晶体（100）面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑，位错密度约为5．0×10^4cm^-2，900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大；N2退火能显著影响晶片的表面形貌，当退火温度为900℃时，晶片的均方根粗糙度（RM
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