【摘 要】
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采用在硅（Si）粉中添加硼（B）粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅（BN/Si3N4）复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用
【机 构】
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厦门大学材料学院,高性能陶瓷纤维教育部重点实验室（厦门大学）
【基金项目】
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国家自然科学基金（51302235）
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采用在硅（Si）粉中添加硼（B）粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅（BN/Si3N4）复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明：成型压强的增加会导致样品氮化率下降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低.采用12MPa成型且B添加量为10%（质量分数）时,经1450℃氮化处理制得的陶瓷以β-Si3N4 相为主,孔隙率为40.12%,在2-18GHz频率下,其介电常数为3.2
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