【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁
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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.
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