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电容-电压法研究Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结压电极化效应（英文）

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aaajansen
【摘 要】
：
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的
【作 者】
：
俞慧强 沈波 周玉刚 张荣 刘杰 周慧梅 施毅 郑有炓 So 
【机 构】
：
南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
2001年S1期
【关键词】
：
压电极化 异质结 电容电压方法 piezoelectric polarizationA lxGa1-xN/GaNcapacitancevoltage metho 
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1) ,国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ,国家高技术研究和发展项目,日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
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制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势
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