【摘 要】
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采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线。通过X射线衍射（XRD）、能量色散X射线光谱（EDS）、透射电子显微镜（TEM）、傅里叶红外
【基金项目】
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国家自然科学基金（11504028）, 渤海大学研究生创新基金（YJC20170040）
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采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线。通过X射线衍射（XRD）、能量色散X射线光谱（EDS）、透射电子显微镜（TEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）对α-Si3N4纳米线的形貌和组分进行表征与分析。TEM和SEM分析显示合成的α-Si3N4纳米线直径为30100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si3N4的[001]方向生长,生长机制气-液-固（VLS）机制所控制。α-Si3N4纳米线光致发光光谱（PL）表明其具有一宽的发光带,具有良好的发
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