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STM的刻蚀机理是通过隧道电流引发局域化学反应，以达到刻蚀的目的,在刻蚀过程中，偏压值对针尖状态的影响相当大,本文以STM为手段，研究偏压值对高序石墨表面纳米刻蚀及针尖状态的影响,通过一系列改变偏压值的纳米刻蚀试验，结果表明，在偏压值为4000mV不但刻蚀图像明显，而且对针尖状态的影响较少．
偏压值对纳米刻蚀影响的研究
【摘 要】
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STM的刻蚀机理是通过隧道电流引发局域化学反应，以达到刻蚀的目的,在刻蚀过程中，偏压值对针尖状态的影响相当大,本文以STM为手段，研究偏压值对高序石墨表面纳米刻蚀及针尖状态的
【机 构】
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西安工程大学理学院
【出 处】
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纺织高校基础科学学报
【发表日期】
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2007年4期
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