【摘 要】
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设计了10位40MSPS的ADC片内面积小、高精度的基准电压源,采用带隙电压源为基本结构,重点设计了一种新型的高增益、宽输入范围的CMOS运算放大器,以提高基准电压源精度;并设计
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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设计了10位40MSPS的ADC片内面积小、高精度的基准电压源,采用带隙电压源为基本结构,重点设计了一种新型的高增益、宽输入范围的CMOS运算放大器,以提高基准电压源精度;并设计出两组基准电压RET与REB,及其差值为ADC的基准比较电压,以进一步减小绝对误差.采用Chart 0.35 μm CMOS工艺参数进行了Hspice仿真,所设计的运算放大器增益为88 dB,基准电压源的随电源电压变化的偏差小于5 mV,温度系数小于10-4/℃.经流片测试所设计的基准电压源能很好地满足ADC的要求.
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