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对氮化H2－O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究，将H2－O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来，充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅，对比常规氧化、H2－O2合成氧化和氮化H2－O2合成氧化三种方式及不同退火条件，得出氮化H2－O2合成氧化方法抗辐照性能最佳，采用硅化物工艺加快速退火是未来抗辐照工艺发展的趋势；并对氮化H2－O2合成栅的抗辐照机理进行了研究。