衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2/Si界面缺陷的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:uslifes
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了VUV(真空紫外)光直接光CVD(化学汽相淀积)SiO2/Si界面微结构缺陷与衬底温度(Ts)的关系。实验结果表明:在32℃ ̄180℃的温度范围内,与Si-O-Si伸缩模相对应的IR峰位随Ts的降低从1060cm^-1增加到1080cm^-1。固定氧化物电荷密度(ΔNot)在Ts〉120℃后,呈正电性,与位于3.10eV的氧空位缺陷相关;在Ts〈100℃一侧,呈负电性,与2.84eV能级位置
其他文献
6月底,省科技厅重大项目办公室组织来自华南理工大学、东北电力大学等单位的5位专家在中山市明阳电器有限公司对中山市申报的广东省重大科技专项“1.5兆瓦风能发电装置技术研发
介绍了一种应用光学投影放大和光栅尺莫尔条纹测长技术的数字显示式光学投影仪,使用此仪器可对直径50mm、长度500mm以内的呼种复杂的轴类或丝杆类零件,进行非接触测量。仪器不但可以检测
潮州水利枢纽库区堤围高压摆喷防渗墙施工的试验方案、施工工艺、及施工遇特殊情况的几点处理经验。
美国国家航空航天局的官员称,该局的“凤凰”号着陆器又将一份火星土样送到着陆器上搭载的湿化学实验室里。
通过对新洲金矿区地质特征、控矿因素的研究表明:区内广泛出露的震旦系乐昌峡群地层构成金的矿源层,不同的构造类型及岩浆活动为主要控矿因素,该矿区成矿条件优越具有较好的找
在地质年代中,陆缘海是主要的沉积环境,其活跃的沉积作用形成了大量地层保存于古沉积岩中。为了准确解释古地层形成过程与事件,对现代沉积过程(本文定义〈100a)的深刻理解至关重要
在地球生物圈的历史中,与主要改造时期有关的是大规模的生物灭绝,在短时间内(数千或数万年)很多曾繁荣过的动物和植物群体消失了,最著明的灭绝事件发生在大约6500万年前的中生代和
文章结合广东科学馆改造工程空调设计的实例,分别从空调冷负荷及空调系统划分、空调冷热源、空调风系统、平时通风系统、消防排烟系统、自控与监测、改造设计特点等几个方面入
通过对表面稳定化型铁电液晶显示器(SSFLCD)的工作原理、工作特性分析,全面介绍了表面稳定化型电液晶显示器的开关过程、工作方式、取向控制和驱动方法,同时也介绍了它的用途。
如果我们能够将美国地下约3km深度的地热全部提取出来,将会满足美国未来3万年的能量需求(根据目前的使用量)。将所有的能源取尽是不可能的,这涉及到技术和经济层面的问题,但是只要