【摘 要】
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采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明:当沉积电位为-
【机 构】
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北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室
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采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明:当沉积电位为-0.9 V(vs.SCE),镀液温度为65℃,HNO3浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO2纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 e V,且电阻率为2.2×10^-3Ω·cm,载流子浓度为1.9×
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