【摘 要】
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将目前被广泛应用具有记忆功能的高密度纳米级交叉阵列电路，与忆阻器相结合[2,3]将有许多潜在的应用，如良好的非易失性记忆功能[4]、可编程的模拟电路[5]等等。 目前，交叉阵列主要应用于信息的储存与恢复，一个典型的交叉阵列由两套垂直相交的平行导线构成。垂直相交的节点是被一层薄膜所分离并且具有特殊的性质，例如其节点电阻值可以受加在其上的电压值来控制，忆阻器就是一个最新被发现的可以在交叉阵列中被用作
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将目前被广泛应用具有记忆功能的高密度纳米级交叉阵列电路，与忆阻器相结合[2,3]将有许多潜在的应用，如良好的非易失性记忆功能[4]、可编程的模拟电路[5]等等。
目前，交叉阵列主要应用于信息的储存与恢复，一个典型的交叉阵列由两套垂直相交的平行导线构成。垂直相交的节点是被一层薄膜所分离并且具有特殊的性质，例如其节点电阻值可以受加在其上的电压值来控制，忆阻器就是一个最新被发现的可以在交叉阵列中被用作很好开关的电子元件。
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