【摘 要】
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以双层SiN 膜多晶硅太阳电池为研究对象，通过调整PECVD工艺参数制备不同折射率和厚度的双层氮化硅减反射膜太阳电池，并用玻璃、EVA和背板等将电池片封装成光伏组件，进行85℃、85
【机 构】
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江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心
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以双层SiN 膜多晶硅太阳电池为研究对象，通过调整PECVD工艺参数制备不同折射率和厚度的双层氮化硅减反射膜太阳电池，并用玻璃、EVA和背板等将电池片封装成光伏组件，进行85℃、85%RH条件下组件电势诱导衰减(PID)实验。研究结果表明：(1)改变内层折射率和厚度保持外层较低的折射率时，双层氮化硅膜太阳电池均会发生严重的PID效应；(2)但随着外层折射率提高，电池PID效应显著减小，外层折射率≥2.15的电池PID实验600 h功率衰减小于5%；(3)双层氮化硅膜抗PID太阳电池的转化效率略低于普通太阳电池，但其组件的封装损失较小，与普通电池的组件功率相当，因此具有很好的应用前景。
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