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利用分子束外延技术（MBE），在GaAs（001）衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质。渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力，抑制了量子点中In组分的偏析，提高了外延层的生长质量，降低了势垒高度，使InAs量子点荧光波长红移。伏安特性曲线和光电流（Pc）谱结果表明，生长条件的优化提高了器件的红外响应，具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移。