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设置不同的外电场参量，采用B3P86／CC—PV5Z方法优化计算，获得不同外电场中SiH分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数．在此基础上采用单双取代耦合团簇CCSD（T）方法和相同的基组，扫描计算单点能获得相关势能曲线．结果表明在外电场中物理性质参数和势能都发生了较大变化，且在反向电场中变化幅度更明显．为了分析外电场效应，本文引入偶极近似构建外电场中的势能函数模型，编制程序拟合对应的势能函数，得出拟合参数，进而计算临界离解电场参量，结果与数值计算和理论分析较为一致，误差都在4％以内，说明构