高功率半导体激光器的电流调制特性

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对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电流的关系。
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