【摘 要】
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本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se~2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C
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本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se~2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能级。杂质对Se~2在禁带中引入A_(1Q)和A_(2U)两个深施主,它们的位置分别为(Ec—0.26)eV和(Ec—0.57)eV,其中前者已在实验中观察到。
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