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在超分辨光存储技术中，掩膜层材料是决定其性能优劣的关键。In薄膜可以作为掩膜层用来实现超分辨信息点的动态读出。采用直流磁控溅射法制备不同厚度的In薄膜，用台阶仪测量薄膜厚度随时间的变化关系，用原子力显微镜观察不同厚度薄膜样品的表面形貌。在预刻有尺寸为390 nm信息点的光盘盘基上制备In薄膜，从而形成In掩膜超分辨光盘。利用光盘动态测试仪进行动态读出，最高读出载噪比(CNR)达到26 dB。为了进一步分析超分辨动态读出的物理机理，采用变温椭圆偏振光谱仪测量In薄膜在不同温度下的光学常数，得到In薄膜在不同温度下的反射率和吸收系数。分析表明In掩膜超分辨光盘的读出机理符合孔径型超分辨读出模型。