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利用磁控溅射法制备了两组Mg/Nb复合薄膜,研究了不同Nb层厚度和不同基底温度对Mg/Nb复合薄膜脱氢温度的影响。结果表明,当Nb层厚度为1 nm和2 nm时,其催化效果相对最好,可使Mg/Nb复合薄膜的脱氢温度分别降至110℃和122℃。当基底温度为125℃时对脱氢性能的改善效果最佳,可使Mg(100 nm)/Nb(1 nm)复合薄膜的脱氢温度降至100℃。同时,讨论了Nb层厚度和基底温度对Mg/Nb复合薄膜脱氢温度的影响机制。