纳米晶Cu8SnTe6的合成及半导体性能研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sheng285292970
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分别采用微波溶剂热法和溶剂热法合成出纳米晶Cu8SnTe6,并比较得出微波溶剂热法制备的纳米晶晶化效果好,粒径细小。通过化学分析和X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及X射线光电子能谱(XPS)等手段表征其组成,研究其结构。讨论了反应时间和有机溶剂填充度等反应条件对该纳米晶产率和粒径的影响,探讨了微波溶剂热法合成机理。紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)表明,该纳米晶禁带宽度为1.77eV,具有优良的半导体性能。
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