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提出了一种埋空隙PSOI（APSOI）RESURF器件结构，此结构利用空隙相对低的介电系数，在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系，提高了击穿电压；硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应；不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布．在相同击穿电压条件下，此结构较一般PSOI结构只需1／4厚度的埋层，当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压．