【摘 要】
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德国的EG&GJudson公司,对InAs光电二极管的技术性能,做了重要的改善。InAs探测器所覆盖的波长范围为1—3.6μm,其特点是特性曲线稳定。灵敏度提高了20%,旁路电阻提高。这样,
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德国的EG&GJudson公司,对InAs光电二极管的技术性能,做了重要的改善。InAs探测器所覆盖的波长范围为1—3.6μm,其特点是特性曲线稳定。灵敏度提高了20%,旁路电阻提高。这样,在二级冷却探测器的情况下,D值可达到6×10~(10);在三级冷却情况下可达1×10~(11)。
EG & GJudson in Germany made a significant improvement on the technical performance of InAs photodiodes. InAs detectors cover the wavelength range of 1-3.6μm, which is characterized by a stable characteristic curve. Sensitivity increased by 20%, bypass resistance increased. In this way, in the case of secondary cooling detector, the D value can reach 6 × 10 ~ (10); in the case of tertiary cooling up to 1 × 10 ~ (11).
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