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忆容器是具有记忆功能的非线性电容.近年来,研究人员已经提出了一些整数阶忆容器模型,并分析了整数阶忆容器模型在不同类型信号激励下的响应特性,而分数阶忆容器的研究还比较少.在分析了现有整数阶忆容器模型的基础上提出了一种分数阶压控忆容器模型,并对该分数阶忆容器模型在正弦信号激励下的响应进行了实验分析,结果表明该模型能够正确地模拟忆容器的特性.分数阶阶次和非线性窗函数中的控制参数对分数阶忆容器电气特性的影响规律也得到了分析和总结,这些结果对忆容器的应用具有一定的参考价值.