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首次使用纳米压印和分子束外延(MBE)相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表征.XRD分析表明所制备的GaN纳米柱在(0002)方向择优生长.计算得出GaN纳米柱的尺寸约为30 nm.原子力显微镜AFM分析发现:随着Ⅴ/Ⅲ的增大,表面粗糙度逐渐降低.基于XRD和AFM分析结果,讨论了Ⅴ/Ⅲ比对制备GaN纳米柱形貌和结构的影响.