原位合成MoSi2／SiC复合材料的组织缺陷

来源 :北京科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woaiwojiaren5210

【摘要】

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TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米

【作者】

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傅晓伟杨王张来启孙祖庆朱静

【机构】

：

北京科技大学材料科学与工程学院,清华大学材料科学与工程学院

【出处】

：

北京科技大学学报

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

原位合成界面位错层错孪晶硅化钼/碳化硅复合材料组织缺陷残余热应力 MoSi2-SiC composite synthesized in situ

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度.在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因.

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