【摘 要】
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通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/ZnO的p-n异质结,并研究了其I-V特性：开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与p型MgxZn1-xO层的电阻率、迁
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,吉林大学电子科学与工程学院
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通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/ZnO的p-n异质结,并研究了其I-V特性：开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与p型MgxZn1-xO层的电阻率、迁移率和载流子浓度.ZnO层的电阻率很小,载流子浓度很大;而MgxZn1-xO层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较ZnO层小了一个数量级.通过对其n型与p型层的光致发光（PL）谱的测试发现,ZnO层与MgxZn1-xO层分别在382和370nm处存在着由自由激子复合而导致的紫外发光峰,为近带边发光.
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