论文部分内容阅读
研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中与二维电子气(2DEG)有关的光致发光,发现温度40K时Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中2DEG与光激发空穴复合形成的发光峰位于3.448eV,低于GaN自由激子峰45meV。由于AlxGa1-xN/GaN界面极强的压电极化场的影响,光激发空穴很快扩散进GaN平带区,导致2DEG与光激发空穴复合几率很低,在GaN中接近Al0.22Ga0.7