【摘 要】
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西德AEG德律风根公司发展了可在600℃的低温下生长的硅的选择外延法 (Gosch.J,《Electronics》,1980,PP.59～60)。 与以前在120℃左右的高温下进行外延相比,这种技术在低达 60
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西德AEG德律风根公司发展了可在600℃的低温下生长的硅的选择外延法 (Gosch.J,《Electronics》,1980,PP.59～60)。 与以前在120℃左右的高温下进行外延相比,这种技术在低达 600℃的低温下生长,因此无杂质再分布,可生长出具有陡峭的杂质分布的薄外延膜。该公司已
West Germany AEG Telefuny developed a selective epitaxial method of silicon that can grow at a low temperature of 600 ° C (Gosch. J, “Electronics”, 1980, pp. 59-60). Compared with the previous epitaxy at a high temperature of about 120 ° C, this technique grows at low temperatures as low as 600 ° C, so that a thin epitaxial film with a sharp impurity distribution can be grown without impurity redistribution. The company has
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