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采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黄色长余辉材料。 通过X射线衍射（XRD）分析发现所制得的样品属于α′-Sr2SiO4斜方晶系结构; 样品的光致发光特性表明， 在320 nm激发光的照射下， 出现峰位为490 nm的宽带发射峰。 样品余辉特性显示: 样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减。 在温度293～598 K内样品有4个热释光峰， 峰值温度在346, 420, 457和552 K附近。 不同的等待时间热释光曲线表明: 在衰减过程中， 热释光峰位置发生移动， 显示材料中存在缺陷能带; 同时不同深度的陷阱能级衰减规律不同， 表明了陷阱能级之间存在电子转移现象。