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利用接触角法研究了氨丙基硅烷化石英表面的基团浓度及单分子层中单个分子的截面积。提出了氨丙基硅烷化的模型。
接触角法研究氨丙基硅烷化石英表面
【摘 要】
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利用接触角法研究了氨丙基硅烷化石英表面的基团浓度及单分子层中单个分子的截面积。提出了氨丙基硅烷化的模型。
【机 构】
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吉林大学化学系
【出 处】
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高等学校化学学报
【发表日期】
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1994年3期
【基金项目】
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吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室资助,国家教育委员会回国人员基金,吉林省科委青年基金
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