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本文就如何利用“阳极氧化法”显示InSb半导体p-n结剖面形貌并测算出结深作一阐述。
用“阳极氧化法”测量InSb器件的p—n结深度
【摘 要】
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本文就如何利用“阳极氧化法”显示InSb半导体p-n结剖面形貌并测算出结深作一阐述。
【机 构】
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国营七九五厂712099陕西咸阳
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1991年4期
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